特許
J-GLOBAL ID:200903022516688989

磁気検出素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 野▲崎▼ 照夫 ,  三輪 正義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-351771
公開番号(公開出願番号):特開2007-158058
出願日: 2005年12月06日
公開日(公表日): 2007年06月21日
要約:
【課題】 特に、積層フェリ構造を構成する非磁性中間層の膜厚を特に変更することなく、飽和磁界(Hs)、スピンフロップ磁界(Hsf)及び及び反強磁性結合エネルギー(JA)を適切な範囲内に収めることができ、さらに耐熱性にも優れる磁気検出素子を提供することを目的としている。【解決手段】 非磁性中間層4bは下からRu層11、Rh層12、及びRu層13の順に積層形成されている。これにより、前記非磁性中間層4bの膜厚を特に変更することなく(従来から一般的に用いられている膜厚範囲内で調整しても)、飽和磁界(Hs)、スピンフロップ磁界(Hsf)及び反強磁性結合エネルギー(JA)を、前記非磁性中間層4bをRhだけで形成した場合に比べて適度に弱めることが出来る。【選択図】図1
請求項(抜粋):
磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性材料層を介して形成され、外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層と、を有し、 前記固定磁性層は、第1磁性層、第2磁性層、及び前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に形成された非磁性中間層を有して構成され、 前記非磁性中間層は、Ru層及びRh層を有して形成されることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (4件):
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/30
FI (4件):
H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  G01R33/06 R ,  H01F10/30
Fターム (38件):
2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA04 ,  5D034BA21 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5F092AA08 ,  5F092AB01 ,  5F092AB03 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD06 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BB59 ,  5F092BB66 ,  5F092BC04 ,  5F092BC06 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC19 ,  5F092BC46 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
  • 磁気抵抗効果膜及び磁気抵抗効果素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-146810   出願人:日本電気株式会社
  • 磁気検出素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-240552   出願人:アルプス電気株式会社
  • 磁気検出素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-182337   出願人:アルプス電気株式会社
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