特許
J-GLOBAL ID：200903057219158430
薄膜コンデンサ内蔵基板及びその製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-312343
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154878
出願日： 1996年11月22日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】【課題】基板上に、下部電極層と誘電体層と上部電極とから成る少なくとも一つの薄膜コンデンサを形成し、その上に別の薄膜コンデンサ又は素子層を積層して成る薄膜コンデンサ内蔵基板において、本発明は、階層間結合用のフィルドビアの形成の際の導通不良を解決して階層間結合用のフィルドビアを確実容易に形成できるようにすることを課題としている。【解決手段】薄膜コンデンサ上を覆って表面が滑らかになるように絶縁体層を形成した後、薄膜コンデンサの電極をそれの上方に位置する別の素子層に結合するフィルドビアを形成すべき絶縁体層の部分に孔開けし、絶縁体層の滑らかな表面上にスパッタリングにより導通層を形成して絶縁体層の孔開けした部分にフィルドビアを形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に、下部電極層と誘電体層と上部電極とから成る少なくとも一つの薄膜コンデンサを形成し、その上に別の薄膜コンデンサ又は素子層を積層して成る薄膜コンデンサ内蔵基板において、各薄膜コンデンサ上を覆って表面が滑らかになるように絶縁体層を形成し、絶縁体層を貫通して薄膜コンデンサの上部電極を上層にある別の薄膜コンデンサ又は素子層に結合するフィルドビアを設けたことを特徴とする薄膜コンデンサ内蔵基板。
IPC (4件)：
H05K 3/46
, H01G 4/33
, H01L 27/01 311
, H05K 1/16
H05K 3/46 Q
, H05K 3/46 E
, H05K 3/46 N
, H01L 27/01 311
, H05K 1/16 D
, H01G 4/06 102
