特許
J-GLOBAL ID:200903057229907570

気相化学反応を用いたエッチング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-020088
公開番号(公開出願番号):特開平8-213367
出願日: 1995年02月08日
公開日(公表日): 1996年08月20日
要約:
【要約】【目的】 気相化学反応を用いたエッチング方法に関し、プラズマ反応を用いることなく、且つ、処理温度を上げることなく、一つのエッチングガス系のみを用いて各種の被エッチング部材を効率良くエッチングする。【構成】 ClF3 とH+ 源となるNH3 ガスとの混合ガス9を用いて被エッチング部材であるTiN膜4を軽くエッチングして、TiN膜4表面の自然酸化膜を除去する。
請求項(抜粋):
気相化学反応を用いたエッチング方法において、エッチングガスとしてClF3 とH+ 源となるガスとの混合ガスを用いて被エッチング部材をエッチングすることを特徴とする気相化学反応を用いたエッチング方法。
IPC (2件):
H01L 21/3065 ,  H01L 21/205
引用特許:
審査官引用 (4件)
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