特許
J-GLOBAL ID：200903057250609660

炭化珪素半導体結晶膜形成装置および炭化珪素半導体結晶膜形成方法

発明者：
俵 武志

俵 武志 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-115118
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270682
出願日： 2007年04月25日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：
【課題】膜厚が均一な炭化珪素半導体結晶膜を形成すること。【解決手段】炭化珪素半導体結晶膜形成装置は、コイルによって誘導加熱されるホットウォール2の内壁面にウエハー6を設置し、ホットウォール2内にガスを供給してウエハー6の表面に炭化珪素半導体結晶膜を形成する。ホットウォール2はグラファイトで形成されており、ホットウォール2の内壁面のうち、ウエハー6が設置される面およびウエハー6の表面と対向する面以外の面は、炭化タンタルコート7で被覆されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
コイルによって誘導加熱されるホットウォールによって囲まれるガス流路内にガスを供給して当該ガス流路内に置かれたウエハーの表面に炭化珪素半導体結晶膜を形成する炭化珪素半導体結晶膜形成装置であって、 前記ホットウォールはグラファイトで形成されており、 前記ホットウォールの内壁面のうち、前記ウエハーのおもて面または裏面と接触または対峙する面以外の面は、炭化タンタルで被覆されていることを特徴とする炭化珪素半導体結晶膜形成装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/42 ,  C30B 29/36 ,  C30B 25/08
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B29/36 A ,  C30B25/08
Fターム (42件)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB21 ,  4G077EG03 ,  4G077EG04 ,  4G077EG25 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TA11 ,  4G077TA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TD01 ,  4G077TD03 ,  4G077TE02 ,  4G077TE05 ,  4G077TF01 ,  4G077TF02 ,  4G077TF03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030KA09 ,  4K030KA24 ,  4K030KA46 ,  4K030KA47 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045EK03 ,  5F045EK21 ,  5F045EM09
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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