特許
J-GLOBAL ID：200903057260326381

表示装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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手塚 祐朗

手塚 祐朗 について

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古野 誠

古野 誠 について

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鳥海 聡志

鳥海 聡志 について

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神保 安弘

神保 安弘 について

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大力 浩二

大力 浩二 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-202638
公開番号（公開出願番号）：特開2009-071286
出願日： 2008年08月06日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：
【課題】大面積の基板を用いても電気特性が高く信頼性のよい薄膜トランジスタ及び当該薄膜トランジスタを用いた表示装置提案することを課題とする。【解決手段】基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にプラズマCVD法を用いて微結晶半導体膜を形成する工程と、微結晶半導体膜上に非晶質半導体膜を形成する工程とを設け、微結晶半導体膜を形成する工程において、反応室の圧力を一旦10-5Pa以下とした後、基板の温度を120°C以上220°C以下として水素及び珪素気体を導入してプラズマを生成し、ゲート絶縁膜表面に形成される反応生成物に水素プラズマを作用させて除去しつつ成膜を行うことによって、微結晶半導体膜を形成する。また、プラズマの生成を、HF帯の高周波電力を印加する第1の高周波電力と、VHF帯の第2の高周波電力を重畳して印加して行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にゲート電極を形成する工程と、 前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記ゲート絶縁膜上にプラズマCVD法を用いて微結晶半導体膜を形成する工程と、 前記微結晶半導体膜上に非晶質半導体膜を形成する工程とを有し、 前記微結晶半導体膜を形成する工程は、 反応室の圧力を一旦10-5Pa以下とした後、前記基板の温度を100°C以上200°C以下として水素及び珪素気体を導入してプラズマの生成を行い、 前記ゲート絶縁膜表面に形成される反応生成物に水素プラズマを作用させてエッチングを行いながら成膜を行うことによって、前記微結晶半導体膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/205 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/00
FI (5件)：
H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618E ,  H01L21/205 ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/00 338
Fターム (92件)：
5C094AA21 ,  5C094AA31 ,  5C094BA03 ,  5C094DA13 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AD05 ,  5F045AF08 ,  5F045BB02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA15 ,  5F045EB06 ,  5F045EB11 ,  5F045EB14 ,  5F045EB15 ,  5F045EE13 ,  5F045EE17 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EK07 ,  5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF06 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG45 ,  5F110GG55 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5G435AA14 ,  5G435AA16 ,  5G435HH13 ,  5G435KK05
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 特開平4-242724号公報
  • 米国特許5,591,987号
  • 特許第3201492号公報
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審査官引用 (9件)
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