特許
J-GLOBAL ID：200903057260331881
膜多層構造体及びこれを用いるアクチュエータ素子、容量素子、フィルタ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-166569
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005450
出願日： 2003年06月11日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】半導体基板上に整合性を持たせながらエピタキシャル成長させることで、分極を大きくした膜多層構造体を提供することを課題とする。【解決手段】エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層に対して(001)面が45°面内回転して、エピタキシャル成長させる単純ペロブスカイト構造を有する薄層とが設けられ、かつ、中間層が、酸化ジルコニウムを主成分と単純ペロブスカイト構造を有する薄層との間に設けられている膜多層構造体とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の(001)面上に複数の薄層を備える膜多層構造体において、
前記膜多層構造体は、
エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、
酸化ジルコニウムを主成分とする薄層に対して(001)面が45°面内回転して、エピタキシャル成長させる単純ペロブスカイト構造を有する薄層とが設けらている
ことを特徴とする膜多層構造体。
IPC (6件)：
H01L41/08
, H01G4/33
, H01L27/105
, H01L41/187
, H01L41/24
, H03H9/25
H01L41/08 D
, H03H9/25 C
, H01L27/10 444C
, H01L41/22 A
, H01L41/18 101D
, H01L41/18 101J
, H01G4/06 102
5E082AA20
, 5E082AB10
, 5E082BB10
, 5E082BC40
, 5E082EE05
, 5E082EE23
, 5E082EE37
, 5E082EE45
, 5E082FF05
, 5E082FG03
, 5E082FG26
, 5E082FG27
, 5E082FG42
, 5E082FG56
, 5E082MM05
, 5E082PP10
, 5F083FR01
, 5F083HA06
, 5F083JA13
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083PR22
, 5F083PR25
, 5F083PR33
, 5J097AA28
, 5J097BB11
, 5J097EE08
, 5J097FF01
, 5J097KK09
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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