半導体装置および電源システム

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-135686
公開番号（公開出願番号）：特開2004-342735
出願日： 2003年05月14日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】ハイサイドスイッチのゲートを駆動する経路と主電流経路とを分離することにより、電圧変換効率を大幅に向上させる。【解決手段】パワーMOS-FET1は、たとえば、非絶縁型DC/DCコンバータのハイサイドスイッチ用トランジスタとして用いられる。このパワーMOS-FET1のソース端子STとなる電極部は、ボンディングワイヤWを介して1本のアウタリードLS1、および2本のアウタリードLS2にそれぞれ接続されている。アウタリードLS1は、ゲートを駆動する経路に接続される外部端子であり、アウタリードLS2は、主電流経路に接続される外部端子である。主電流経路とゲート駆動用経路とを分離して接続することにより、寄生インダクタンスの影響を低減し、電圧変換効率を向上することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ハイサイドスイッチとして用いられる第1のパワートランジスタを有する半導体装置であって、前記第1のパワートランジスタのソース端子は、第1の外部接続端子と第2の外部接続端子とにそれぞれ接続され、前記第1の外部接続端子、および前記第2の外部接続端子は、それぞれ異なる経路で分離して形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L21/60

FI (1件)：

H01L21/60 301B

Fターム (3件)：

5F044AA01 , 5F044AA18 , 5F044AA19

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-242206 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-007191 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-120309 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-242206 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-007191 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-120309 出願人：株式会社東芝

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