ナノワイヤ複合体およびこれらに由来する電子基板を作製するためのシステムおよび方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： , , , , , , , ,
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 森下夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-522674
公開番号（公開出願番号）：特表2007-501525
出願日： 2004年08月04日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

本発明は、ナノワイヤ-材料複合体を生成するシステムおよび処理に関わる。ナノワイヤ(606)が少なくとも一つの表面の一部分(604)に取り付けられた基板が提供される。ナノワイヤ-材料複合体を生成するよう、当該部分上に材料が堆積される。処理は、独立したナノワイヤ-材料複合体を生成するよう基板からナノワイヤ-材料複合体を分離することを必要に応じて含む。独立したナノワイヤ-材料複合体は、必要に応じて、電子基板に更に処理される。様々な電子基板は本明細書記載の方法を用いて形成される。例えば、多色発光ダイオードは、それぞれの複合体層が異なる波長で光を発するナノワイヤ-材料複合体の多数の積層された層から形成され得る。

請求項（抜粋）：

ナノワイヤ-材料複合体を生成する方法であって、 (a)ナノワイヤが少なくとも一つの表面の一部分に取り付けられた基板を提供する工程と、 (b)該ナノワイヤ-材料複合体を生成するよう該一部分上に材料を堆積する工程と、を包含する方法。

IPC (5件)：

H01L 29/06 , H01L 29/786 , H05K 3/04 , H05K 3/06 , H01L 33/00

FI (5件)：

H01L29/06 601N , H01L29/78 618B , H05K3/04 Z , H05K3/06 A , H01L33/00 A

Fターム (44件)：

5E339AB02 , 5E339AB05 , 5E339AD01 , 5E339BC01 , 5E339BC05 , 5E339BD11 , 5E339BE01 , 5E339BE13 , 5F041CA02 , 5F041CA22 , 5F041CA35 , 5F041CA37 , 5F041CA39 , 5F041CA40 , 5F041CB28 , 5F110AA01 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF22 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG30 , 5F110GG42 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HK02 , 5F110HK32

引用特許：

審査官引用 (6件)

電界放出陰極、電子放出素子および電界放出陰極の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-255519 出願人：株式会社東芝
保護カバー付カーボンナノチューブ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-192480 出願人：関西ティー・エル・オー株式会社
接触型帯電器、その作製方法およびそれを有する画像形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-323177 出願人：株式会社リコー

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Laser beam application to thin film transistors

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