特許
J-GLOBAL ID：200903057305622610
積層コンデンサ、その製造方法、並びに、該積層コンデンサを内蔵した配線基板、デカップリング回路及び高周波回路
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
森下 武一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-118133
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031926
出願日： 2003年04月23日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】等価直列インダクタンスを最小限に抑え、大容量を達成すること。【解決手段】このコンデンサは、積層コンデンサ本体の第1及び第2主面上に形成された第1及び第2主面端子電極を有する。本体の四つの側面上には、第1及び第2側面端子電極が形成されている。本体は、第1主面側の低ESL部分と第2主面側の高容量部分とに区分される。低ESL部分において、第1及び第2低ESL内部電極、第1低ESL内部電極を第1主面端子電極に電気的に接続する第1ビアホール導体、及び第2低ESL内部電極を第2主面端子電極に電気的に接続する第2ビアホール導体が形成されている。高容量部分において、第1及び第2高容量内部電極、第1高容量内部電極を第1側面端子電極に電気的に接続する第1引出し電極、及び第2高容量内部電極を第2側面端子電極に電気的に接続する第2引出し電極が形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
以下のものを含む積層コンデンサ、
互いに対向する第1主面と第2主面、該第1及び第2主面の間に配置された少なくとも一つの側面、及び、複数の誘電体層を有する本体、
前記本体の第1主面上に形成された第1主面端子電極及び第2主面端子電極、前記本体の少なくとも一つの側面上に形成された第1側面端子電極及び第2側面端子電極、
前記本体に設けられた低ESL部分及び高容量部分、該低ESL部分は第1主面側に位置し、高容量部分は第2主面側に位置している、
複数の誘電体層のうちの特定のものを介して互いに対向する第1低ESL内部電極及び第2低ESL内部電極、
第1低ESL内部電極を第1主面端子電極に電気的に接続する第1ビアホール導体、及び、第2低ESL内部電極を第2主面端子電極に電気的に接続する第2ビアホール導体、該第1及び第2ビアホール導体は低ESL部分に配置されている、
複数の誘電体層のうちの特定のものを介して互いに対向する第1高容量内部電極及び第2高容量内部電極、
第1高容量内部電極を第1側面端子電極に電気的に接続する第1引出し電極、及び、第2高容量内部電極を第2側面端子電極に電気的に接続する第2引出し電極、第1及び第2高容量内部電極及び第1及び第2引出し電極は高容量部分に配置されている。
IPC (3件)：
H01G4/40
, H01G4/30
, H01L23/12
H01G4/40 A
, H01G4/30 301C
, H01G4/30 301D
, H01L23/12 L
5E082AA01
, 5E082AB02
, 5E082BB07
, 5E082BC14
, 5E082CC02
, 5E082CC03
, 5E082EE04
, 5E082FF05
, 5E082FG26
, 5E082LL13
