特許
J-GLOBAL ID：200903057418361074
荷電ビーム露光方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-366306
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191529
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【課題】 露光パターンのボケや歪を低減できるとともにパターンの位置精度や繋ぎ精度を向上させることができる荷電ビーム露光方法を提供する。【解決手段】 マスクステージ11上に高さの異なるマーク53、55を設置する。それぞれのマークを順次ビーム51の各4つのエッジ付近に位置させ、マーク検出法によりマークと各エッジの相対位置を測定し、ビームの各幅を求める。各マーク位置でのビーム幅よりビームの平行入射性を計算し、両位置で測定結果が同じになるように照明光学系や投影光学系のレンズ等の諸元を調整する。
請求項（抜粋）：
パターンを形成したマスクを荷電ビームで照明し、マスクを通過してパターン化された荷電ビームを感応基板上に結像させてパターンを転写する荷電ビーム露光方法であって;マスクの照明ビーム又は感応基板への入射ビームの断面形状を光軸方向の異なる高さ位置において測定し、該ビームの断面形状からビームの平行入射性を測定し、その測定結果に基づいてビームのマスク又は感応基板に対する平行入射性を調整し、その後に転写露光を行うことを特徴とする荷電ビーム露光方法。
IPC (5件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
, G03F 7/20 521
, H01J 37/04
, H01J 37/305
H01L 21/30 541 A
, G03F 7/20 504
, G03F 7/20 521
, H01J 37/04 A
, H01J 37/305 B
, H01L 21/30 541 K
