特許

J-GLOBAL ID：200903057476977913

半導体装置及びその製造方法

発明者： 岡本 光央 ,  田中 美恵子 ,  福田 憲司
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-084062
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269641
出願日： 2005年03月23日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】 炭化珪素基板を用いたPチャネルMOS電界効果トランジスタにおいて、高いチャネル移動度を得ることを目的とする。【解決手段】 N型の炭化珪素からなる領域が形成された半導体基板と、該半導体基板のN型領域上に形成されたゲート酸化膜と、該ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート酸化膜とゲート電極に隣接して配置されたトランジスタを構成するP型不純物領域からなるソースとドレイン領域を備えた半導体装置において、前記ゲート酸化膜中に1×1019個cm-3〜1×1020個cm-3の範囲の水素又は水酸基(OH)を含むことを特徴とする半導体装置及び同半導体装置を製造する方法において、H2O(水)を含む雰囲気で熱酸化することによりゲート酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

N型の炭化珪素からなる領域が形成された半導体基板と、該半導体基板のN型領域上に形成されたゲート酸化膜と、該ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート酸化膜とゲート電極に隣接して配置されたトランジスタを構成するP型不純物領域からなるソースとドレイン領域を備えた半導体装置において、前記ゲート酸化膜中に1×1019個cm-3〜1×1020個cm-3の範囲の水素又は水酸基(OH)を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L29/78 301B ,  H01L21/316 S ,  H01L29/78 301G

Fターム (34件)：

5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF56 ,  5F058BF63 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA05 ,  5F140AC01 ,  5F140BA02 ,  5F140BD17 ,  5F140BE07 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG05 ,  5F140BG28 ,  5F140BG31 ,  5F140BG32 ,  5F140BG37 ,  5F140BH21 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ23 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-189954   出願人：富士電機株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の作製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-274073   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 三洋電機株式会社
• 高温利用可能なSiC電界効果トランジスタ、前記トランジスタの使用およびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-614508   出願人：アクレオアーベー
• 高抵抗炭化ケイ素層の形成方法および炭化ケイ素半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-115878   出願人：株式会社イオン工学研究所, 松波弘之, 木本恒暢
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-017680   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 科学技術振興事業団, 三洋電機株式会社