特許
J-GLOBAL ID：200903057597378642

半導体装置

発明者：
宮本 昇

宮本 昇 について

, 
辻 夏樹

辻 夏樹 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-267089
公開番号（公開出願番号）：特開2009-100494
出願日： 2007年10月12日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：
【課題】本発明は、デットタイムを設定して半導体素子を制御する半導体装置に係り、半導体装置の制御の安定性を保ちながら、単純な処理により最適なデットタイムを生成する半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】2の半導体素子で形成されるアームと、該アームへの制御値と該制御値に対して設定すべき最適化デットタイムとの相関マップを記憶した又は記憶できるマップ記憶装置と、該アームの駆動制御値を取得する駆動制御値取得手段と、該相関マップから、該駆動制御値に対応した該最適化デットタイムを抽出するデットタイム生成回路とを備える。そして、一方の該半導体素子がオフすべき指令を受けた後他方の該半導体素子がオンするまでの時間は該デットタイム生成回路が抽出した該最適化デットタイムであることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
2の半導体素子で形成されるアームと、 前記アームへの制御値と前記制御値に対して設定すべき最適化デットタイムとの相関マップを記憶した又は記憶できるマップ記憶装置と、 前記アームの駆動制御値を取得する駆動制御値取得手段と、 前記相関マップから、前記駆動制御値に対応した前記最適化デットタイムを抽出するデットタイム生成回路とを備え、 一方の前記半導体素子がオフすべき指令を受けた後他方の前記半導体素子がオンするまでの時間は前記デットタイム生成回路が抽出した前記最適化デットタイムであることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H02M 7/537
FI (1件)：
H02M7/537 C
Fターム (7件)：
5H007AA17 ,  5H007CA01 ,  5H007CB12 ,  5H007DB12 ,  5H007DC02 ,  5H007DC05 ,  5H007FA06
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 電力変換装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-142869   出願人：株式会社東芝
  • 電力用半導体モジュール
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-001169   出願人：富士電機株式会社
  • MOSゲート駆動用回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-264211   出願人：インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション
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審査官引用 (4件)
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