特許
J-GLOBAL ID：200903057614327828

マルチ電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法

発明者：
村木 真人

村木 真人 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177142
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012438
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 より少ない露光制御データの追加で近接効果補正を達成する。【解決手段】 描画するパターンに基づいて、複数の電子ビームを物体の被露光面上を偏向させながら偏向毎に各電子ビームの照射を個別に制御するとともに、各電子ビームが描画する要素露光領域を隣合わせて描画する方法であり、パターンを前記要素露光領域を単位として分割する分割段階と、分割されたパターンに基づいて、前記各要素露光領域での電子ビームの照射位置と前記各要素露光領域に照射される電子ビームの照射量を検出する段階と、前記各要素露光領域内は一定である電子ビームの一照射当たりの照射量を、近接した複数の前記要素露光領域の前記照射量に基づいて修正する修正段階と、検出された前記電子ビームの照射位置に関する情報と修正された前記電子ビームの一照射当たりの照射量の情報とを有する各電子ビームの要素露光領域毎の露光制御データを作成する段階とを有する。
請求項（抜粋）：
描画するパターンに基づいて、複数の電子ビームを物体の被露光面上を偏向させながら偏向毎に各電子ビームの照射を個別に制御するとともに、各電子ビームが描画する要素露光領域を隣合わせて描画するマルチ電子ビーム露光方法において、前記パターンを前記要素露光領域を単位として分割する分割段階と、分割された前記パターンに基づいて、前記各要素露光領域での電子ビームの照射位置と前記各要素露光領域に照射される電子ビームの照射量を検出する段階と、前記各要素露光領域内は一定である電子ビームの一照射当たりの照射量を、近接した複数の前記要素露光領域の前記照射量に基づいて修正する修正段階と、検出された前記電子ビームの照射位置に関する情報と修正された前記電子ビームの一照射当たりの照射量の情報とを有する各電子ビームの要素露光領域毎の露光制御データを作成する段階とを有することを特徴とするマルチ電子ビーム露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504
FI (4件)：
H01L 21/30 541 W ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 541 D ,  H01L 21/30 541 E
Fターム (14件)：
2H097BB01 ,  2H097BB03 ,  2H097CA16 ,  2H097EA03 ,  2H097KA28 ,  2H097LA10 ,  5F056AA33 ,  5F056BA01 ,  5F056BB03 ,  5F056CA05 ,  5F056CB03 ,  5F056CC12 ,  5F056CC13 ,  5F056CC14
引用特許：
審査官引用 (6件)
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