特許
J-GLOBAL ID：200903057633730480

単一トランジスタセル及びその製造方法並びにこの単一トランジスタセルで構成されたメモリ回路及びその駆動方法

発明者：
李 鍾 鎬

李 鍾 鎬 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-302860
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214642
出願日： 1998年10月23日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 一つのトランジスタで基本メモリセルを構成し、メモリセルをランダムアクセスできる単一トランジスタセルとこれを製造する方法及びメモリ回路とこれを駆動する方法に関する。【解決手段】 活性領域としての半導体膜38は強誘電体膜36上にアイランド状で形成されている。ワードライン40は半導体膜を横切るように形成されている。ソースはワードライン40を中心にして区画された第1の側の半導体膜38に形成されており、ドレーンは第2の側の半導体膜38に形成されている。プレートライン34はワードライン40と垂直に交差され、ワードライン40と対向されるように強誘電体膜36の下部に形成されている。駆動ライン42はソースに連結されており、ビットラインはドレーンに連結されている。これにより、別途のトランジスタなしで一つのトランジスタで単位セルを構成できるのみならずランダムアクセスが可能であり、データセンシングマージンを増やすことができる。また、工程を単純化させることができる。
請求項（抜粋）：
第1の方向に沿って伸びる棒状のプレートラインと、前記プレートライン上に形成され前記第1方向に対して直交する第2の方向に沿って伸びる棒状の強誘電体ラインと、前記強誘電体ラインと前記プレートラインが重畳された領域の前記強誘電体ライン上に形成されたアイランド状の半導体膜と、前記半導体膜を横切ってその上部に形成され前記第2方向に沿って伸びる棒状のワードラインとを含むことを特徴とする単一トランジスタセル。
IPC (5件)：
H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (3件)：
H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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