特許
J-GLOBAL ID：200903057728560263

基板温度制御機構及び真空処理装置

発明者：
渡邊 和人

渡邊 和人 について

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中山 広樹

中山 広樹 について

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勝俣 好弘

勝俣 好弘 について

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高橋 信行

高橋 信行 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-015045
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222849
出願日： 2001年01月23日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 信頼性や安定性といった点で優れた基板温度制御機構を提供するとともに、このような基板温度制御機構を備えることで処理の再現性や品質の点で優れた真空処理装置を提供する。【解決手段】 基板9に接触する接触ブロック11と接触ブロック11に向かい合わせて近接して設けられたステージ本体12とより成るステージ1に基板9が載置され、ステージ本体12内に設けられた熱交換部2により加熱又は冷却されて基板9の温度が制御される。接触ブロック11とステージ本体12の向かい合う面には、平坦な面をつき合わせた場合に比べて表面積が大きくなるよう互いに適合する凹凸が設けられており、両者の隙間に温度制御用ガス導入系4がガス導入して圧力を上昇させる。温度制御用ガス導入系4は、基板9と接触ブロック11との隙間へのガス導入にも兼用される。基板処理装置は、基板9の温度制御を行いながら真空中で基板9を処理する。
請求項（抜粋）：
基板に面接触するステージと、基板との接触面を介して基板を加熱する熱源又は基板を冷却する冷源である熱交換部と、熱交換部による基板との熱交換の量を調整することで基板の温度を制御する制御部とよりなる基板温度制御機構であって、前記ステージは、基板に面接触する接触ブロックと、接触ブロックに向かい合わせて近接させて設けられたステージ本体とより成るものであり、前記熱交換部はステージ本体内に設けられており、前記接触ブロックと前記ステージ本体のお互いの向かい合う面は、平坦な面をつき合わせた場合に比べて表面積が大きくなるよう互いに適合する凹凸が設けられているとともに、そのお互いに向かい合う面の隙間にガスを導入して圧力を上昇させる温度制御用ガス導入系が設けられていることを特徴とする基板温度制御機構。
IPC (5件)：
H01L 21/68 ,  F25D 1/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/027 ,  H05B 3/68
FI (5件)：
H01L 21/68 R ,  F25D 1/00 B ,  H01L 21/203 S ,  H05B 3/68 ,  H01L 21/30 567
Fターム (28件)：
3K092PP20 ,  3K092QA05 ,  3K092QB44 ,  3K092RF09 ,  3K092RF27 ,  3K092VV22 ,  3L044AA03 ,  3L044BA09 ,  3L044CA14 ,  3L044HA01 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA10 ,  5F031HA16 ,  5F031HA37 ,  5F031HA38 ,  5F031HA39 ,  5F031MA30 ,  5F031PA20 ,  5F031PA26 ,  5F046KA04 ,  5F103AA08 ,  5F103BB24 ,  5F103BB42 ,  5F103BB57 ,  5F103RR10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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