Ga添加多結晶シリコンおよびGa添加多結晶シリコンウエーハ並びにその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-061435
公開番号（公開出願番号）：特開2001-064007
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2001年03月13日
要約：

【要約】【課題】光劣化を生じることなく光エネルギーの変換効率が安定した太陽電池を作製するための多結晶シリコンおよび多結晶シリコンウエーハ、並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】多結晶シリコンであって、ドープ剤としてGa(ガリウム)を添加した多結晶シリコン、および多結晶シリコンの製造方法において、加熱溶融されたルツボ内のシリコン融液にGaを添加した後、前記シリコン融液を冷却することによって多結晶シリコンを育成するGa添加多結晶シリコンの製造方法。

請求項（抜粋）：

多結晶シリコンであって、ドープ剤としてGa(ガリウム)を添加したことを特徴とする多結晶シリコン。

IPC (3件)：

C01B 33/02 , H01L 21/208 , H01L 31/04

FI (3件)：

C01B 33/02 Z , H01L 21/208 Z , H01L 31/04 X

Fターム (23件)：

4G072AA01 , 4G072BB12 , 4G072GG01 , 4G072HH01 , 4G072JJ07 , 4G072MM38 , 4G072NN01 , 4G072QQ09 , 4G072RR12 , 4G072UU02 , 5F051AA03 , 5F051CB04 , 5F051DA03 , 5F051HA01 , 5F053AA11 , 5F053BB04 , 5F053BB13 , 5F053DD01 , 5F053FF04 , 5F053GG02 , 5F053JJ01 , 5F053LL05 , 5F053RR07

引用特許：

審査官引用 (12件)

太陽電池の製造方法及びそれに供されるスパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-349637 出願人：キヤノン株式会社
BSF型太陽電池の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-243040 出願人：東燃株式会社
シリコン薄板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-347767 出願人：東燃株式会社

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