特許

J-GLOBAL ID：200903057791328613

フォトレジスト剥離液

発明者： 管家 了 ,  勝又 剛彦 ,  芥川 由臣志 ,  小久保 忠嘉
出願人/特許権者： 富士ハントエレクトロニクステクノロジ-株式会社
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-053356
公開番号（公開出願番号）：特開平9-244263
出願日： 1996年03月11日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 従来の技術の課題に照らしてより優れたレジスト剥離液が得られ、特にレジストの除去性に加え、エッチングポリマーの除去性と基板の腐食防止とを両立させ、かつ保存中や使用中に性能変化の少ない安定なフォトレジスト剥離液を得ることができる。【解決手段】 (a)有機アミン、(b)水、及び(c)特定のヒドロキシ化合物及び/又は(d)特定のα-ヒドロキシケトン化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト剥離液。

請求項（抜粋）：

(a)有機アミン、(b)水、及び(c)下記一般式(I)で示されるヒドロキシ化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト剥離液。【化1】式(I)中、Rは水素原子、炭素数1〜3個のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、カルボキシル基、カルボキシル基の炭素数1〜3個のアルキル基エステル、ハロゲン原子、スルフォン酸基、アミノ基、置換アミノ基、アミド基又はアシル基を表す。Zは、置換されていてもよい5員もしくは6員の複素環又は芳香環を形成するのに必要な残基を表す。nは1又は2を表す。

IPC (6件)：

G03F 7/42 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (6件)：

G03F 7/42 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/306 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 有機ストリツピング組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-010812   出願人：アクト,インク.
• ポジ型レジスト用剥離液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-024970   出願人：東京応化工業株式会社
• ポジ型レジスト用剥離液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-083582   出願人：東京応化工業株式会社
• フォトレジスト剥離剤組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-338929   出願人：ナガセ電子化学株式会社