特許
J-GLOBAL ID：200903057898802725
窒化物半導体材料および窒化物半導体結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-080383
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237541
出願日： 2005年02月21日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】下地に発生した転位をその上に形成する窒化物半導体層に伝播させずに、均一性と安定性に優れた窒化物半導体材料を提供する。【解決手段】サファイア基板(0001)面上に、MOVPE装置でGaN膜を極性が揃う程度の膜厚(約3μm)で製膜した。その表面にP-CVD法によりSiNx膜を約100nm製膜し、開口部とマスク部の面積比がそれぞれ1:5になるように周期的なストライプ状のマスクを形成した。 そのウェハーをHVPE装置に投入し、ガスが流れてくる方向とウェハー表面の法線との角度が80°となるように設置し、1050°CでGaNを成長させた。ウェハーの断面をTEMで観察した結果、第一窒化物半導体層のGaNの転位(欠陥)が第二窒化物半導体層に伝播していないことが確認された。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体または誘電体基板上に第一窒化物半導体層を有し、さらに当該第一窒化物半導体層の上に第二窒化物半導体層を有する窒化物半導体材料であって、
前記基板と前記第一窒化物半導体層の間の物性的な違いにより発生した欠陥が前記第二窒化物半導体層には伝播していないことを特徴とする窒化物半導体材料。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/34
, C30B 29/38
, H01L 29/201
H01L21/205
, C23C16/34
, C30B29/38 D
, H01L29/203
4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077CF01
, 4G077DB04
, 4G077DB11
, 4G077EB01
, 4G077ED06
, 4G077EF01
, 4G077EF03
, 4G077EH01
, 4G077HA12
, 4G077QA01
, 4G077QA71
, 4G077TA04
, 4G077TA08
, 4G077TB03
, 4G077TB04
, 4G077TC13
, 4G077TC14
, 4G077TJ02
, 4G077TK01
, 4G077TK02
, 4G077TK08
, 4K030AA03
, 4K030AA06
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA08
, 4K030BA29
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030BB12
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030EA03
, 4K030FA01
, 4K030FA10
, 4K030JA01
, 4K030JA04
, 4K030LA14
, 5F045AA02
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045DA52
, 5F045DB01
, 5F045DB06
