焼結炭化硅素基体上に化学蒸着炭化硅素膜をコーティングした半導体ウエハ用真空チャック

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)： ▲吉▼川俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-315494
公開番号（公開出願番号）：特開平11-289003
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【解決手段】半導体ウエハ搬送・保持装置の被保持物との接触部分(真空チャックホルダ)が、焼結炭化硅素基体上に化学蒸着炭化硅素膜をコーティングしてなることを特徴とする真空チャックホルダであって、前記化学蒸着炭化硅素膜が、ミラー指数表示(220)面配向結晶構造成分とその他の面配向結晶構造成分の比において、X線回折強度で32倍以上よりなることを特徴とする真空チャックホルダ。【効果】耐摩耗性が向上すると共に、被保持物との接触部分における静電気の発生が防止され、ごみの付着が低減される。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ搬送・保持装置の被保持物との接触部分(真空チャックホルダ)が、焼結炭化硅素基体上に化学蒸着炭化硅素膜をコーティングしてなることを特徴とする真空チャックホルダであって、前記化学蒸着炭化硅素膜が、ミラー指数表示(220)面配向結晶構造成分とその他の面配向結晶構造成分の比において、X線回折強度で32倍以上よりなることを特徴とする真空チャックホルダ。

IPC (3件)：

H01L 21/68 , C04B 35/565 , C04B 41/87

FI (3件)：

H01L 21/68 P , C04B 41/87 G , C04B 35/56 101 X

引用特許：

審査官引用 (7件)

熱処理治具とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-146964 出願人：東芝セラミックス株式会社
特開平4-083328
半導体製造用治具のための炭化珪素質基材の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-129511 出願人：イビデン株式会社

全件表示

前のページに戻る