特許

J-GLOBAL ID：200903057905748391

不揮発性半導体メモリ装置

発明者： 金 東浚 ,  崔 正達
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-302624
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144892
出願日： 1997年11月05日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 より高信頼性の不揮発性半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】 メモリセルアレイに多数の行ブロックBKを有してページ動作を行う書き換え可能な不揮発性半導体メモリ装置において、メモリセルアレイを所定の列数ずつに区切ってそれぞれ多数の行ブロックを有する多数のサブアレイ301〜304を構成し、これらサブアレイを、基板と逆導電形のウェル内に多数形成したポケットウェル内、あるいは、基板と逆導電形のウェル内に1ずつ形成したポケットウェル内に、それぞれ形成する。

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイに多数の行ブロックを有してページ動作を行う書き換え可能な不揮発性半導体メモリ装置において、メモリセルアレイを所定の列数ずつに区切ってそれぞれ多数の行ブロックを有する多数のサブアレイを構成し、これらサブアレイを、基板と逆導電形のウェル内に多数形成したポケットウェル内に、それぞれ形成するようにしたことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (6件)：

H01L 27/115 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 434 ,  G11C 17/00 611 F ,  G11C 17/00 622 E ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-176725   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-203514   出願人：三菱電機セミコンダクタソフトウエア株式会社, 三菱電機株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-147671   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-273375   出願人：株式会社東芝