特許
J-GLOBAL ID：200903057907546877

プラズマ処理装置およびインピーダンス調整方法

発明者：
平野 太一

平野 太一 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-162184
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019716
出願日： 2005年06月02日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】プラズマソース側のインピーダンスを調整することができ、装置間あるいはクリーニングサイクル間のインピーダンス誤差を解消することができるプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】内側電極38および外側電極36に分割された上部電極34および下部電極16との間に処理ガスのプラズマを生成してウエハWにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、内側電極38へ高周波電流が流れ込むように形成された共振回路101と、内側電極38への給電ラインに設けられた可変コンデンサ78と、下部電極16のバイアスVPPを検出する検出器89と、プラズマを形成した状態で、可変コンデンサ78のキャパシタンスを変更させながら、検出器89からの信号を検出して共振回路101の共振点を探し出し、共振点における可変コンデンサ78のキャパシタンスを基準となる値に調整する制御部102とを有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
被処理基板が収容され、真空排気可能な処理容器と、 処理容器内に対向して配置される第1電極および第2電極と、 前記第1電極にプラズマ形成用の高周波電力を供給する高周波電力供給手段と、 前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と を具備し、前記第1電極および前記第2電極との間に処理ガスのプラズマを生成して被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、 さらに、プラズマソース側のインピーダンスを調整するインピーダンス調整手段を具備し、 前記インピーダンス調整手段は、 前記第1電極へ高周波電流が流れ込むように形成された共振回路と、 前記第1電極の給電ラインに設けられた可変インピーダンス部と、 前記共振回路の共振点を把握するための装置状態を検出する検出器と、 前記プラズマを形成した状態で、前記可変インピーダンス部の値を変更させながら、前記検出器の装置状態の信号を検出して、前記共振回路の共振点を探し出し、前記共振点における可変インピーダンス部の値を基準となる値に調整する制御部と を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/00 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H01L21/302 101B ,  H01L21/205 ,  H05H1/00 A ,  H05H1/46 M ,  H05H1/46 R
Fターム (20件)：
4K030FA03 ,  4K030KA14 ,  5F004AA01 ,  5F004AA05 ,  5F004BA09 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004BD04 ,  5F045AA08 ,  5F045BB03 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH13 ,  5F045EH20 ,  5F045EJ10 ,  5F045EM05
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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