特許
J-GLOBAL ID：200903058040418478
圧電セラミック素子の検査方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 秀隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-369009
公開番号（公開出願番号）：特開2001-242110
出願日： 2000年12月04日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：
【要約】【課題】常温では検出することができない内部欠陥を、非破壊で確実に検出することができる圧電セラミック素子の検査方法を提供する。【解決手段】圧電セラミック素子を常温に戻したときに加熱前とほぼ同じ圧電特性に戻る最高温度付近の温度に加熱昇温し、加熱昇温した状態で圧電セラミック素子の位相特性およびインピーダンス特性の少なくとも一方を測定する。この測定値を基準となる特性と比較し、比較結果から圧電セラミック素子の内部欠陥を検出する。加熱昇温と測定とを行なうために、圧電セラミック素子に定格レベルより高いレベルの高周波測定信号を印加し、この高周波信号の印加により圧電セラミック素子自体を誘電加熱すると同時に、圧電セラミック素子の位相特性およびインピーダンス特性の少なくとも一方を測定する。
請求項（抜粋）：
圧電セラミック素子を加熱昇温する工程と、加熱昇温した状態で圧電セラミック素子の位相特性およびインピーダンス特性の少なくとも一方を測定する工程と、測定された位相特性およびインピーダンス特性の少なくとも一方を基準となる特性と比較する工程と、上記比較結果から圧電セラミック素子の内部欠陥の有無を検出する工程と、を有する圧電セラミック素子の検査方法。
IPC (5件)：
G01N 27/02
, G01N 25/72
, G01N 27/20
, G01R 27/28
, H03H 3/02
G01N 27/02 Z
, G01N 25/72 Z
, G01N 27/20 Z
, G01R 27/28 Z
, H03H 3/02 B
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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