特許
J-GLOBAL ID：200903058080544085

誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ

発明者：
山崎 洋一

山崎 洋一 について

, 
東 勇介

東 勇介 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-222971
公開番号（公開出願番号）：特開2009-051717
出願日： 2007年08月29日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
【課題】 高誘電率で比誘電率の温度変化がEIA規格のX7R特性を満足し、印加する電圧が低い場合にも高い絶縁抵抗が得られる誘電体磁器と、このような誘電体磁器を誘電体層として備え、高温負荷試験での寿命特性に優れる積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】 カルシウム濃度が0.4原子%以上のチタン酸バリウムを主体とする誘電体磁器であって、該誘電体磁器を構成するバリウム100モルに対して、バナジウムをV2O5換算で0.05〜0.3モル、マグネシウムをMgO換算で0〜0.1モル、マンガンをMnO換算で0〜0.5モル、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる1種の希土類元素をRE2O3換算で0.5〜1.5モル含み、誘電体磁器のX線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す(004)面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す(400)面の回折強度よりも大きい。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
チタン酸バリウムを主成分とし、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対して、バナジウムをV2O5換算で0.05〜0.3モル、マグネシウムをMgO換算で0〜0.1モル、マンガンをMnO換算で0〜0.5モル、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる1種の希土類元素(RE)をRE2O3換算で0.5〜1.5モル含み、さらにカルシウムを含むとともに、結晶粒子が前記チタン酸バリウムを主体とし、カルシウム濃度が0.4原子%以上の結晶粒子により構成される誘電体磁器であって、該誘電体磁器のX線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す(004)面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す(400)面の回折強度よりも大きいことを特徴とする誘電体磁器。
IPC (2件)：
C04B 35/46 ,  H01B 3/12
FI (2件)：
C04B35/46 D ,  H01B3/12 303
Fターム (34件)：
4G031AA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA13 ,  4G031AA19 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031BA12 ,  4G031CA01 ,  4G031CA08 ,  4G031GA01 ,  4G031GA02 ,  4G031GA03 ,  4G031GA10 ,  4G031GA11 ,  4G031GA13 ,  4G031GA16 ,  4G031GA17 ,  5G303AA01 ,  5G303AB05 ,  5G303AB11 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB17 ,  5G303CB18 ,  5G303CB35 ,  5G303CB36 ,  5G303CB40
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (12件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM