特許
J-GLOBAL ID：200903095932145924

誘電体セラミック、積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法

発明者：
萩原 智也

萩原 智也 について

, 
西川 潤

西川 潤 について

, 
都竹 浩一郎

都竹 浩一郎 について


出願人/特許権者：
太陽誘電株式会社

太陽誘電株式会社 について


代理人 (1件)： 松本 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-174622
公開番号（公開出願番号）：特開2006-347799
出願日： 2005年06月15日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】 絶縁抵抗、寿命特性および静電容量の温度特性のバラツキの小さい積層セラミックコンデンサ及びその積層セラミックコンデンサの製造方法を提供する。【解決手段】 BaTiO3を主成分とし、Vを含有する誘電体セラミックにおいて、Vの価数が3.8〜4.1であることを特徴とする。また、セラミック誘電体層と内部電極層とを交互に積層した積層チップの表面に外部電極を備えた積層セラミックコンデンサにおいて、前記セラミック誘電体層が、BaTiO3を主成分とし、Vを含有する誘電体セラミックからなり、Vの価数が3.8〜4.1であることを特徴とする。その積層セラミックコンデンサの製造方法において、誘電体セラミック中に含有されたVの価数を3.8〜4.1に調整することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
BaTiO3を主成分とし、Vを含有する誘電体セラミックにおいて、Vの価数が3.8〜4.1であることを特徴とする誘電体セラミック。
IPC (4件)：
C04B 35/46 ,  H01G 4/12 ,  H01G 4/30 ,  H01B 3/12
FI (7件)：
C04B35/46 D ,  H01G4/12 358 ,  H01G4/12 364 ,  H01G4/30 301E ,  H01G4/30 301C ,  H01G4/12 361 ,  H01B3/12 303
Fターム (37件)：
4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA11 ,  4G031AA13 ,  4G031BA09 ,  4G031GA01 ,  4G031GA08 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB03 ,  5E082EE04 ,  5E082EE23 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5E082FG26 ,  5E082FG54 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB11 ,  5G303AB14 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB35 ,  5G303CB36 ,  5G303CC08 ,  5G303CD01 ,  5G303CD04 ,  5G303DA05
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM