特許

J-GLOBAL ID：200903058110456305

半導体装置およびその製造方法

発明者： 相馬 忠昭 ,  夏目 正
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-048256
公開番号（公開出願番号）：特開2005-243715
出願日： 2004年02月24日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】 従来、ショットキーバリアダイオードのVF、IR特性はトレードオフの関係にあり、低VF化を実現するにはリーク電流の増大が避けられない問題があった。またP+領域を入れることで空乏層を広げピンチオフ効果を利用してリーク電流を抑える構造も知られているが現実的には空乏層を完全に閉じることは困難であった。【解決手段】 P+型領域を設けて、P+型領域とその周りの空乏領域には低VFのショットキー金属層をコンタクトさせ、空乏領域間のN型基板表面には低IRショットキー金属層をコンタクトさせる。順バイアス時には低VF金属層を電流が流れ、逆バイアス時には、空乏領域によって狭められた電流経路が低IR金属層部分のみとなる。これにより、低VF、低IRのショットキーバリアダイオードが実現できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板と、 該基板上に複数設けられた逆導電型領域と、 逆バイアス印加時に前記逆導電型領域から前記半導体基板に空乏層が広がる空乏領域と、 隣り合う前記空乏領域間に露出する前記基板表面を覆う第1の金属層と、 少なくとも前記逆導電型領域および前記空乏領域の表面を覆う第2の金属層と、 を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/47 ,  H01L29/872

FI (2件)：

H01L29/48 F ,  H01L29/48 P

Fターム (9件)：

4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC03 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ショットキーバリアダイオードの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-008678   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-064581   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (6件)

• ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-297497   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-097554   出願人：新電元工業株式会社
• ショットキーバリア半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-344714   出願人：グローバルアライアンス株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-229088   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-105975
  
• 特開平3-105975