特許
J-GLOBAL ID：200903051599558020

窒化物半導体レーザ素子

発明者：
長濱 慎一

長濱 慎一 について

, 
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-367945
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196199
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 主レーザ光のFFPにリップルの乗らない良好な単一モードとなる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 基板1上に、n型コンタクト層3、及び、Alを含む窒化物半導体を有する多層膜層からなるn型クラッド層5とAlを含む窒化物半導体を有する多層膜層からなるp型クラッド層10との間に、In<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0<a<1)からなる井戸層とIn<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0≦b<1)からなる障壁層とを有する多重量子井戸構造の活性層7を有し、n型コンタクト層3と基板1との間に、井戸層よりもバンドギャップエネルギーが小さいアンドープのIn<SB>d</SB>Ga<SB>1-d</SB>N(0<d<1)からなる第1の窒化物半導体の少なくとも1層以上を含んでなる光吸収層2を有する。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともn型コンタクト層、及び、Alを含む窒化物半導体を有する多層膜層からなるn型クラッド層とAlを含む窒化物半導体を有する多層膜層からなるp型クラッド層との間に、In<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0<a<1)からなる井戸層とIn<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0≦b<1)からなる障壁層とを有する多重量子井戸構造の活性層を有し、前記n型コンタクト層と基板との間に、井戸層よりもバンドギャップエネルギーが小さいアンドープのIn<SB>d</SB>Ga<SB>1-d</SB>N(0<d<1)からなる第1の窒化物半導体の少なくとも1層以上を含んでなる光吸収層を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 677 ,  H01L 33/00 C
Fターム (19件)：
5F041AA06 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CA24 ,  5F073CB11 ,  5F073DA05 ,  5F073EA18 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (15件)
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