特許
J-GLOBAL ID：200903058249205676

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者：
新村 俊樹

新村 俊樹 について

, 
松木 武雄

松木 武雄 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-341726
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228523
出願日： 1999年12月01日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】 電界効果トランジスタのゲート電極の材料に、トランジスタの特性を劣化させることなく銅を用いる。【解決手段】 上部ゲート電極104は、下面と側面を覆うように窒化タンタルからなるバリア膜105が形成され、上面を覆うように窒化シリコンからなるバリア膜106が形成されている。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたシリコンからなる下部ゲート電極と、この下部ゲート電極上に形成された銅からなる上部ゲート電極と、前記下部ゲート電極にチャネル部を駆動するに足りる電流が注入できる導電性を有して前記上部ゲート電極下面を覆うように形成された銅の拡散を阻止する第1のバリア膜と、この第1のバリア膜に下端が接触して前記上部ゲート電極の両側面を覆うように形成された銅の拡散を阻止する第2のバリア膜と、この第2のバリア膜に端部が接触して前記上部ゲート電極上面を覆うように形成された銅の拡散を阻止する第3のバリア膜と、前記下部ゲート電極下の領域を挾むように前記シリコン基板に形成されたソース・ドレインとを備えたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43
FI (3件)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/62 G
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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