特許
J-GLOBAL ID:200903058285972381

半導体装置の実装構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 菊谷 公男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-181481
公開番号(公開出願番号):特開2002-373970
出願日: 2001年06月15日
公開日(公表日): 2002年12月26日
要約:
【要約】【課題】 半導体チップを接合した金属電極板を重ねて構成した半導体モジュールにおいて、底面が上に凸となることを防止する。【解決手段】 金属電極板10A、20A、30Aが樹脂ベース50Aにモールドされ、金属電極板10Aにはその主部11A上にIGBT40pとFWD42pが接合され、金属電極板20Aにはその低段部22AにIGBT40nとFWD42nが接合されている。主部11Aと低段部22Aとが露出するモジュールの底面に対して、金属電極板10Aの連通部12Aと金属電極板30Aの連通部32Aが樹脂ベースの端部で垂直に立ち上がり、互いに対向し、さらに紙面に垂直方向に樹脂ベースから突出して外部接続部となる。連通部の立上がりが中央部にないので、モールド成形後の冷却時にケース状樹脂ベース側壁の収縮が阻害されず、モジュール底面が下に凸となり、ヒートシンク58Aに密接する。
請求項(抜粋):
樹脂ベースにモールドされて互いに絶縁された第1、第2および第3の金属電極板を備え、第1の金属電極板上に第1の半導体チップの裏面の電極を導電性接合材で接合し、第2の金属電極板上に第2の半導体チップの裏面の電極を導電性接合材で接合し、第1の半導体チップの上面の電極を第2の金属電極板に、第2の半導体チップの上面の電極を第3の金属電極板にそれぞれ金属ワイヤで接続した半導体装置の実装構造において、前記第2の金属電極板の第2の半導体チップを接合した領域と第1の金属電極板とが略同層とされて下面が樹脂ベースの底面に露出し、前記第3の金属電極板は、第2の金属電極板の第2の半導体チップを接合した領域の両側辺にそって延びる延設部と該延設部をつないで第1の金属電極板と重なる連通部を有して第1の金属電極板より高い位置に配置され、前記第1の金属電極板は第3の金属電極板の前記連通部に重なる重なり領域と前記第1の半導体チップが接合される主部とを有し、前記第2の金属電極板は、前記第2の半導体チップを接合した領域から上方へオフセットして前記連通部を乗り越え前記第3の金属電極板と略同層で第1の金属電極板上に延びる高段部を備えて、前記第1および第3の金属電極板はそれぞれ連通部および重なり領域を前記主部の側辺より突出させて外部接続部とすることを特徴とする半導体装置の実装構造。
IPC (2件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
引用特許:
出願人引用 (4件)
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