特許

J-GLOBAL ID：200903058364918260

配線基板及びその製造方法並びに半導体パッケージ

発明者： 山道 新太郎 ,  菊池 克 ,  村井 秀哉 ,  船矢 琢央 ,  前田 武彦 ,  小川 健太 ,  塚野 純 ,  本多 広一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-168083
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027706
出願日： 2006年06月16日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：

【課題】 半導体デバイスの高集積化、高速化又は多機能化による端子数の増加及び端子間の間隔の狭ピッチ化に有効で、且つ信頼性が優れた配線基板及びその製造方法並びに半導体パッケージを提供する。 【解決手段】 基体絶縁膜7の一方の面に形成された凹部7a内に、配線本体6及びエッチングバリア層5からなる下層配線が形成されると共に、基体絶縁膜7の他方の面上に上層配線11が形成され、下層配線の配線本体6と上層配線11とが、基体絶縁膜7に形成されヴィアホール10を介して相互に接続されている配線基板13において、ヴィアホール10の形状を、樽型形状、釣り鐘形状又は蛇腹形状とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

厚さが20乃至100μmで、その一方の面に凹部が形成された基体絶縁膜と、前記基体絶縁膜の前記凹部内に形成された第1の配線と、前記基体絶縁膜の他方の面上に形成された第2の配線と、前記基体絶縁膜に形成され前記第1の配線と前記第2の配線とを相互に接続するヴィアホールと、を有し、前記ヴィアホールの前記基体絶縁膜の厚さ方向における断面が樽型形状であることを特徴とする配線基板。

IPC (8件)：

H01L 23/12 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/40 ,  H05K 3/42 ,  H05K 3/28

FI (6件)：

H01L23/12 N ,  H01L25/08 Z ,  H05K1/11 H ,  H05K3/40 E ,  H05K3/42 610A ,  H05K3/28 B

Fターム (11件)：

5E314AA24 ,  5E314BB10 ,  5E314CC01 ,  5E314FF05 ,  5E314GG17 ,  5E317AA24 ,  5E317BB12 ,  5E317CC31 ,  5E317CD27 ,  5E317CD32 ,  5E317GG14

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 片面回路基板、多層プリント配線板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-074432   出願人：イビデン株式会社
• 半導体装置搭載用配線基板およびその製造方法、並びに半導体パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-265802   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (4件)

• 配線基板、半導体パッケージ、基体絶縁膜及び配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-382418   出願人：日本電気株式会社
• 多層回路板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-279868   出願人：凸版印刷株式会社
• 特開平3-136298
  
• 半導体装置用基板並びに半導体装置及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-123894   出願人：株式会社トッパンNECサーキットソリューションズ