特許
J-GLOBAL ID：200903058368472240

面発光型半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
前田 修

前田 修 について

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汐先 政貴

汐先 政貴 について

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山口 典彦

山口 典彦 について

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山内 義則

山内 義則 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-123558
公開番号（公開出願番号）：特開2008-016824
出願日： 2007年05月08日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：
【課題】簡易かつ安価に製造可能であり、レーザ光の偏光方向を一方向に安定化すると共に高出力化することの可能な面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】基板10上に、下部第1DBRミラー層12、下部第2DBRミラー層13、下部クラッド層14、発光領域15Aを有する活性層15、上部クラッド層16、電流狭窄層17、上部DBRミラー層18およびコンタクト層19がこの順に積層された発光部20を備える。下部第1DBRミラー層12は、発光領域15Aと対応する領域の周辺に、発光領域15Aを中心にして回転する方向に不均一に分布する酸化層30を有する。酸化層30は一対の多層膜31,32からなり、低屈折率層12Aを酸化することにより形成される。これにより、多層膜31,32の不均一な分布に対応した異方的な応力が活性層15に発生する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に、第1多層膜反射鏡、1または複数の発光領域を有する活性層および第2多層膜反射鏡がこの順に積層された発光部を備え、 前記第1多層膜反射鏡および前記第2多層膜反射鏡の少なくとも一方は、前記発光領域と対応する領域の周辺に、前記発光領域を中心にして回転する方向に不均一に分布する酸化部を有する ことを特徴とする面発光型半導体レーザ。
IPC (1件)：
H01S 5/183
FI (1件)：
H01S5/183
Fターム (12件)：
5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC34 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC48 ,  5F173AC52 ,  5F173AH02 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AR14 ,  5F173AR43
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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