特許
J-GLOBAL ID：200903058414938160

固体撮像装置とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法

発明者：
糸長 総一郎

糸長 総一郎 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-356419
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166607
出願日： 2006年12月28日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：
【課題】MOS固体撮像装置における画素のノイズを低減する。白点の発生、1/fノイズの低減を図る。さらに読出し特性の改善を図る。【解決手段】MOS固体撮像装置における所要の画素トランジスタにおいて、ゲート電極に所要導電型のサイドウォールを形成する。読み出しトランジスタでは、例えばゲート電極63の光電変換素子43側を第1導電型領域63Pとし、フローティングディフージョン部46側を第2導電型領域63Nとして構成とする。好ましくは、ゲート電極63の光電変換素子43側に絶縁膜56を介して第1導電型の半導体材料部64Pを形成する。例えば増幅トランジスタでは、ゲート電極下に埋め込みチャネルを形成し、第1導電型または第2導電型の半導体材料部を形成する。リセットトランジスタでは、ゲート電極のフローティングディフージョン部と電気的に接続される領域側に、所要導電型の半導体材料部を形成する。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
光電変換素子と複数の画素トランジスタを含む単位画素が配列されてなる固体撮像装置であって、 前記画素トランジスタのうち、所要の画素トランジスタのゲート電極の側壁に、絶縁膜を介して少なくとも一部に所要導電型の半導体材料部が形成されている ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L27/14 A ,  H01L29/78 301G
Fターム (53件)：
4M118AA04 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DA03 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA03 ,  4M118EA07 ,  4M118EA08 ,  4M118EA17 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA25 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  5F140AA00 ,  5F140AA03 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140AB06 ,  5F140AC02 ,  5F140AC31 ,  5F140AC38 ,  5F140BA01 ,  5F140BB13 ,  5F140BD05 ,  5F140BD18 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF37 ,  5F140BF58 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG15 ,  5F140BG32 ,  5F140BG43 ,  5F140BG44 ,  5F140BG48 ,  5F140BG53 ,  5F140BG54 ,  5F140BH15 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK14
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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