特許

J-GLOBAL ID：200903058442127844

III-V族窒化物系半導体基板の製造方法

発明者： 柴田 真佐知
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 沖川 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-142275
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277841
出願日： 2008年05月30日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：

【課題】低転位密度であるとともに、キャリア濃度のばらつきが小さい表面層を十分な厚さで有するIII-V族窒化物系半導体の自立基板の製造方法を提供する。【解決手段】III-V族窒化物系半導体結晶の成長の初期又は途中の段階では結晶成長界面に複数の凹凸を出しながら結晶成長を行い、次いで前記凹凸を埋めるように結晶成長を行って前記結晶成長界面を平坦化し、さらに平坦化した結晶成長界面の形状を保ったまま10μm以上の厚さにわたって結晶成長を継続するIII-V族窒化物系半導体基板の製造方法自立したIII-V族窒化物系半導体基板の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III-V族窒化物系半導体結晶の成長の初期又は途中の段階では結晶成長界面に複数の凹凸を出しながら結う晶成長を行い、次いで前記凹凸を埋めるように結晶成長を行って前記結晶成長界面を平坦化し、さらに平坦化した結晶成長界面の形状を保ったまま10μm以上の厚さにわたって結晶成長を継続することを特徴とするIII-V族窒化物系半導体基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/01

FI (5件)：

H01L21/205 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  C23C16/01

Fターム (38件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TC13 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030LA14 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA57 ,  5F045DA61 ,  5F045DB02 ,  5F045GH08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• III族窒化物半導体基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-064345   出願人：日本電気株式会社, 日立電線株式会社
• 窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-088294   出願人：日立電線株式会社, 日本電気株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-176720   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化物半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-346611   出願人：日亜化学工業株式会社