特許
J-GLOBAL ID：200903058506880657

半導体装置及びその製造方法

発明者：
横山 孝司

横山 孝司 について

, 
西沢 厚

西沢 厚 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-360975
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176965
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 配線間の容量を抑え,更に有効に配線間容量を低減することができ,シリコン窒化膜系を必要としない形状のよい溝配線が達成されるデュアルダマシン構造を得ることが可能になる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 上層に設けられるCu配線111及び接続孔配線が設けられる層がそれぞれ絶縁材料によって形成して成る絶縁層(103,104,105)から成り,接続孔配線が設けられる層である第1のシリコン酸化膜103と,その接続孔配線の上に設けられるCu配線111が存在する層であるHSQ膜104とは,反応性ガスの流量比におけるエッチングレートが異なる材料から成ることによる。
請求項（抜粋）：
配線が設けられるシリコン基板と,このシリコン基板よりも上層に設けられる配線と,シリコン基板に設けられる配線と上層に設けられる配線とを電気的に接続する接続孔配線と,上層に設けられる配線及び接続孔配線が設けられる層をそれぞれ絶縁材料によって形成して成る絶縁層と,上層に設けられる配線及び接続孔配線と前記絶縁層との境界面上であり,かつ上層に設けられる配線及び接続孔配線側の面上に設けられるバリアメタルから成り,前記接続孔配線が設けられる層である前記絶縁層と,その接続孔配線の上層に設けられる配線が存在する層である前記絶縁層とは,反応性ガスの流量比におけるエッチングレートが異なる材料から成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205
FI (3件)：
H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 M
Fターム (36件)：
4M104AA01 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD20 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD75 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG13 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033MM02 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ38 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR23 ,  5F033SS21 ,  5F033WW06 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM