特許
J-GLOBAL ID：200903058531409730

半導体発光装置およびその製造方法

発明者：
矢吹 義文

矢吹 義文 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-210295
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027572
出願日： 2005年07月20日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】へき開時のだれを抑制して光出射端面を汚染せずに、光出射端面からヒートシンクへの高い熱輸送効率を確保できる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板10に、第1クラッド11、活性層12及び電流狭窄構造を有する第2クラッド13を含む積層体が形成され、積層体の上層に積層体の上面と光出射端面との角部に至るまで被覆して第1導電層16が形成され、この角部から第1導電層16が所定の幅で露出するように光出射端面SLから所定の幅で後退して第1導電層16上に第2導電層17が形成された半導体レーザチップLDが、第2導電層17側からハンダ層21で電気的かつ熱的に接続してヒートシンク20上にマウントされ、第2導電層17が所定の幅で角部から後退している領域Rにおける第1導電層16とハンダ層21の境界近傍において、第1導電層16とハンダ層21が合金化している構成とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の基板に、第1導電型の第1クラッド、活性層及び電流狭窄構造を有する第2導電型の第2クラッドを含む積層体が形成され、前記第1クラッドと前記第2クラッドに所定の電圧を印加すると前記積層体の光出射端面からレーザ光を発する半導体レーザチップであって、前記積層体の上層に前記積層体の上面と光出射端面との角部に至るまで被覆して第1導電層が形成されており、前記角部から前記第1導電層が所定の幅で露出するように、前記光出射端面から前記所定の幅で後退して前記第1導電層上に第2導電層が形成されている半導体レーザチップと、 前記半導体レーザチップが前記第2導電層側からマウントされたヒートシンクと、 前記半導体レーザチップの前記第1導電層及び前記第2導電層と前記ヒートシンクとを電気的かつ熱的に接続して形成されたハンダ層と を有し、 前記第2導電層が前記所定の幅で前記角部から後退している領域における前記第1導電層と前記ハンダ層の境界近傍において、前記第1導電層と前記ハンダ層が合金化している 半導体発光装置。
IPC (3件)：
H01S 5/022 ,  H01S 5/042 ,  H01S 5/22
FI (3件)：
H01S5/022 ,  H01S5/042 612 ,  H01S5/22
Fターム (6件)：
5F173MC04 ,  5F173MC12 ,  5F173MD16 ,  5F173MD51 ,  5F173MD63 ,  5F173MD84
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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