特許
J-GLOBAL ID：200903058537368245

位相シフトマスク、位相シフトマスク用ブランクスおよび位相シフトマスクの製造方法

発明者：
中尾 修治

中尾 修治 について

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辻田 好一郎

辻田 好一郎 について

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金岡 竜範

金岡 竜範 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-120052
公開番号（公開出願番号）：特開平9-304912
出願日： 1996年05月15日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 遮光膜を挟んで隣り合う光透過領域の透過光の位相差が実質上180°であり、かつ各透過光の強度が同一である位相シフトマスク、位相シフトマスク用ブランクスおよび位相シフトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】 透明基板1上に第1の光透過領域Taを覆い、かつ第2の光透過領域Tnを露出するようにシリコン窒化膜3とシリコン酸化膜5とが積層して形成されている。第1および第2の光透過領域Ta、Tnに挟まれる遮光領域Sには透明基板1上を覆うように遮光膜7が形成されている。
請求項（抜粋）：
露光光を透過する第1の光透過領域と、前記第1の光透過領域と遮光領域を挟んで隣り合いかつ前記第1の光透過領域を透過する露光光の位相と異なった位相で露光光を透過する第2の光透過領域とを有する位相シフトマスクであって、主表面を有する透明基板と、前記第1の光透過領域において前記透明基板の主表面上を覆いかつ前記第2の光透過領域において前記透明基板の主表面を露出するように形成されたシリコン窒化膜と、前記第1の光透過領域において前記透明基板の主表面上を覆うように前記シリコン窒化膜と積層され、かつ前記第2の光透過領域において前記透明基板の主表面を露出するように形成されたシリコン酸化膜と、前記遮光領域において前記透明基板の主表面上を覆う遮光膜とを備えた、位相シフトマスク。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
引用特許：
審査官引用 (4件)
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