特許
J-GLOBAL ID：200903058543306219

半導体装置

発明者：
鷹巣 博昭

鷹巣 博昭 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツル株式会社

セイコーインスツル株式会社 について


代理人 (1件)： 松下 義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-215948
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049296
出願日： 2007年08月22日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：
【課題】 工程の増加や占有面積の大きな増加なくオフリーク電流を小さく抑えた、十分なESD保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するESD保護用のN型のMOSトランジスタを有する半導体装置を得る。【解決手段】 素子分離にシャロートレンチ構造を有するESD保護用のN型MOSトランジスタにおいて、ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域の近傍に、ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域と接したP型の領域を介して外部接続端子からの信号を受けるN型の領域を形成した。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
外部接続端子と内部回路領域との間に、前記内部回路領域に形成された内部素子をESDによる破壊から保護するために形成された、素子分離にシャロートレンチ構造を用いたESD保護用のN型MOSトランジスタを有する半導体装置において、前記ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域のゲート電極とは反対の側に、前記ドレイン領域と接するP型の領域によって分離された、前記外部接続端子からの信号を受けるN型の領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (4件)：
H01L27/06 311C ,  H01L27/06 311B ,  H01L27/08 102F ,  H01L27/04 H
Fターム (21件)：
5F038BH01 ,  5F038BH05 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038CA02 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BC06 ,  5F048BG13 ,  5F048CC06 ,  5F048CC08 ,  5F048CC11 ,  5F048CC13 ,  5F048CC15 ,  5F048CC18
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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