金属酸化物誘電体膜の気相成長方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-049980
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334875
出願日： 2002年02月26日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】本発明は、リーク電流が少ない酸化物誘電体薄膜、特にPZT膜(Pb(Zr,Ti)O3膜)の気相成長方法を提供することを目的とする。【解決手段】下地導電性材料上への有機金属材料ガスを用いたABO3型結晶構造を有する金属酸化物誘電体膜の気相成長方法において、第一の成膜条件で、下地導電性材料上にペロブスカイト型結晶の初期核の形成、またはアモルファス構造の初期アモルファス層の形成を行う第1の工程と、前記第一の成膜条件とは異なる第二の成膜条件で、第1の工程で形成した結晶の初期核または初期アモルファス層上にさらにペロブスカイト型結晶構造の膜成長を行う第2の工程とを有し、その際、前記第一の成膜条件が、(a)第二の成膜条件よりも基板温度が低い条件、および(b)第二の成膜条件よりも原料ガス圧力が高い条件の少なくともどちらかを満たすことを特徴とする金属酸化物誘電体膜の気相成長方法。

請求項（抜粋）：

下地導電性材料上への有機金属材料ガスを用いたABO3で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する金属酸化物誘電体膜の気相成長方法において、第一の成膜条件で、前記下地導電性材料上にペロブスカイト型結晶の初期核の形成、またはアモルファス構造の初期アモルファス層の形成を行う第1の工程と、前記第一の成膜条件とは異なる第二の成膜条件で、第1の工程で形成した結晶の初期核または初期アモルファス層上にさらにペロブスカイト型結晶構造の膜成長を行う第2の工程とを有し、その際、前記第一の成膜条件が、(a)第二の成膜条件よりも基板温度が低い条件、および(b)第二の成膜条件よりも原料ガス圧力が高い条件の少なくともどちらかを満たすことを特徴とする金属酸化物誘電体膜の気相成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , C23C 16/46 , H01L 27/105

FI (4件)：

H01L 21/316 X , C23C 16/40 , C23C 16/46 , H01L 27/10 444 B

Fターム (38件)：

4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030BA18 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030BB01 , 4K030BB05 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030HA01 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 5F058BA11 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BF04 , 5F083AD21 , 5F083FR02 , 5F083GA06 , 5F083JA05 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA56 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA19 , 5F083PR21 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (4件)

強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体メモリ装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-351916 出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-066552 出願人：東京エレクトロン株式会社
酸化物薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-014478 出願人：株式会社荏原製作所

全件表示

前のページに戻る