特許
J-GLOBAL ID：200903058596051255
光半導体装置、その製造方法及びその駆動方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
北野 好人
, 三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-135908
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235600
出願日： 2003年05月14日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】広い波長可変範囲を有するとともに高い光出力を得ることができる光半導体装置を提供する。【解決手段】電流注入により光を発生する活性層20と、活性層20との間に中間層22を介して形成され、電流注入により発振波長を変化するチューニング層24と、活性層20及びチューニング層24の近傍に形成された回折格子28とを有する光発振部と、電流注入により光を増幅する活性層20を有し、光発振部により発生した光を増幅する光増幅部とが半導体基板10上に形成されている。波長可変範囲の広い光発振素子と光増幅器とを半導体基板上に集積することにより、広い波長可変範囲が得られるとともに、出力光を大幅に増加することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板の第1の領域上に形成され、電流注入により光を発生する第1の活性層と、前記第1の活性層との間に第2導電型の中間層を介して形成され、電流注入により発振波長を変化するチューニング層と、前記第1の活性層及び前記チューニング層の近傍に形成された回折格子とを有する光発振部と、
前記半導体基板の第2の領域上に形成され、電流注入により光を増幅する第2の活性層を有し、前記光発振部により発生した光を増幅する光増幅部と
を有することを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
5F073AA11
, 5F073AA51
, 5F073AA63
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073AB01
, 5F073AB02
, 5F073AB06
, 5F073AB21
, 5F073CA02
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA25
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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