特許
J-GLOBAL ID：200903041284200687
ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-162632
公開番号（公開出願番号）：特開平11-352668
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】ハーフトーン型位相シフトマスク1の製造にて、従来の製造ラインに採用している、アルカリ系の処理液をそのまま使用しても半透明位相シフト層3が変質しないハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】ハーフトーン型位相シフトマスク1を製造する際に、透明基板2に半透明位相シフト層3、遮光層4、第一レジスト層5を形成し、光透過パターン部8の第一レジスト層を除去し、エッチングにより光透過パターン部の遮光層及び半透明位相シフト層を除去し、第一レジスト層を剥離し、第二レジスト層6を積層し、光透過パターン部と光透過パターン周辺部9の第二レジスト層を除去し、遮光層をエッチングし光透過パターン周辺部の遮光層を除去し、第二レジスト層を剥離する工程を有すること。
請求項（抜粋）：
透明基板の上に半透明位相シフト層、該半透明位相シフト層の上に遮光層を有するマスクブランクを用いて、該半透明位相シフト層及び該遮光層が形成されていない光透過パターン部と、該光透過パターン部の周囲に半透明位相シフト層によって所定の幅で形成された光透過パターン周辺部と、該光透過パターン周辺部の周囲に半透明位相シフト層及び遮光層によって形成された遮光パターン部をフォトエッチング法により形成するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、(1)透明基板の上の全面に、半透明位相シフト層、遮光層を順次積層してマスクブランクを作成する工程と、(2)該マスクブランクの上の全面に第一レジスト層を形成する工程と、(3)該光透過パターン部となる部分の該第一レジスト層を除去する工程と、(4)該光透過パターン部となる部分以外の該第一レジスト層をエッチングレジストとして遮光層をエッチングし光透過パターン部の遮光層を除去する工程と、(5)該光透過パターン部となる部分以外の該第一レジスト層と遮光層をエッチングレジストとして半透明位相シフト層をエッチングし光透過パターン部の半透明位相シフト層を除去する工程と、(6)該第一レジスト層を剥離除去する工程と、(7)第二レジスト層を積層する工程と、(8)該光透過パターン部となる部分及び該光透過パターン周辺部となる部分の該第二レジスト層を除去する工程と、(9)該光透過パターン部となる部分及び該光透過パターン周辺部となる部分以外の該第二レジスト層をエッチングレジストとして遮光層をエッチングし光透過パターン周辺部の遮光層を除去する工程と、(10)該第二レジスト層を剥離除去する工程と、を有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
