電極デバイスの製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-341352
公開番号（公開出願番号）：特開2003-141986
出願日： 2001年11月07日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、デューティ駆動に対応した電界放出電子源を、その素子一個あたりの寸法が50ミクロンメートル以下である電極デバイスおよび電極デバイスの製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、カーボンナノチューブ生成の触媒となるガラスを基板上に成膜することにより、ナノメートルレベルでの金属触媒の形成および離散性制御を可能にし、その上にカーボンナノチューブを離散制御させながら生成させ、そのナノチューブに金属被覆を施すことで、電気パルス応答特性を向上させたことを特徴とする電極デバイスおよび電極デバイスの製造方法にある。

請求項（抜粋）：

半導体,金属、または絶縁基板の上にガラス成分を有する材料を成膜することにより粒径50ナノメートル以下のガラス結晶子を形成し、前記ガラス結晶子を触媒の核としたナノチューブもしくはナノワイヤを成長させ、その表皮に金属を被覆させることにより、前記ナノチューブもしくは前記ナノワイヤを離散的に形成することを特徴とする電極デバイスの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-305512 出願人：キヤノン株式会社
グラファイトナノチューブ付き基体デバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-261181 出願人：三洋電機株式会社
ナノスケール構造体アセンブリ、電界放出装置、マイクロ波真空管増幅器、ディスプレイ装置、及び電界放出構造体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-215600 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

全件表示

前のページに戻る