特許
J-GLOBAL ID：200903058786128742

半導体シリコン基板の製造方法およびその製造装置

発明者：
大出 裕之

大出 裕之 について


出願人/特許権者：
エルピーダメモリ株式会社

エルピーダメモリ株式会社 について


代理人 (2件)： 平野 泰弘 ,  首藤 宏平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-340753
公開番号（公開出願番号）：特開2007-149866
出願日： 2005年11月25日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】超臨界状態の二酸化炭素を使用する製造方法であって、信頼性の高い半導体シリコン基板を与えることのできる半導体シリコン基板の製造方法を提供すること。【解決手段】温度31〜100°Cおよび圧力18〜40MPaの条件下、超臨界状態の二酸化炭素の存在下に、被処理基板に対し洗浄を行なう洗浄工程、 温度150〜350°Cおよび圧力7.5〜12MPaの条件下、導電膜および絶縁膜からなる群より選ばれる少なくとも一つを形成する成膜工程、 温度31〜100°Cおよび圧力18〜40MPaの条件下、エッチングを行うエッチング工程、ならびに 温度31〜80°Cおよび圧力18〜40MPaの条件下、レジストを除去するレジスト剥離工程、 のうち少なくとも2つの工程を有することを特徴とする半導体シリコン基板の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
温度31〜100°Cおよび圧力18〜40MPaの条件下、超臨界状態の二酸化炭素の 存在下に、被処理基板に対し洗浄を行なう洗浄工程、 温度150〜350°Cおよび圧力7.5〜12MPaの条件下、超臨界状態の二酸化炭 素の存在下に、前記被処理基板に対し、導電膜、絶縁膜およびバリア膜からなる群より選 ばれる少なくとも一つを形成する成膜工程、 温度31〜100°Cおよび圧力18〜40MPaの条件下、超臨界二酸化炭素の存在下 に、前記被処理基板に対しエッチングを行うエッチング工程、ならびに 温度31〜80°Cおよび圧力18〜40MPaの条件下、超臨界二酸化炭素の存在下に 、前記被処理基板に対しレジストを除去するレジスト剥離工程、 のうち少なくとも2つの工程を有することを特徴とする半導体シリコン基板の製造方法 。
IPC (10件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/285
FI (9件)：
H01L21/90 P ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/316 B ,  H01L21/31 B ,  H01L21/306 D ,  H01L27/10 681Z ,  H01L21/283 B ,  H01L21/285 C
Fターム (96件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD63 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH19 ,  5F033HH23 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH29 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH35 ,  5F033PP00 ,  5F033PP02 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS00 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F043AA31 ,  5F043AA36 ,  5F043AA37 ,  5F043BB22 ,  5F043BB24 ,  5F043BB25 ,  5F043DD06 ,  5F043DD07 ,  5F043EE01 ,  5F045AA03 ,  5F045AE30 ,  5F045EE01 ,  5F045EE11 ,  5F045EJ01 ,  5F046MA02 ,  5F046MA05 ,  5F046MA06 ,  5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F058BF29 ,  5F058BF36 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD00 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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