基板処理方法および半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-017948
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228526
出願日： 2003年01月27日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

【課題】超臨界状態の媒体を用いて、高アスペクト比の微細なパターンへのCuの拡散防止膜およびCu膜の埋め込みを可能にする。【解決手段】第1の超臨界状態の媒体を含む第1の処理媒体を被処理基板上に供給して基板処理を行う第1の工程と、第2の超臨界状態の媒体を含む第2の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にCu拡散防止膜を形成する第2の工程と、第3の超臨界状態の媒体を含む第3の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にCu膜を形成する第3の工程とを有することを特徴とする基板処理方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の超臨界状態の媒体を含む第1の処理媒体を被処理基板上に供給して基板処理を行う第1の工程と、第2の超臨界状態の媒体を含む第2の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にCu拡散防止膜を形成する第2の工程と、第3の超臨界状態の媒体を含む第3の処理媒体を前記被処理基板上に供給することにより、前記被処理基板上にCu膜を形成する第3の工程とを有することを特徴とする基板処理方法。

IPC (4件)：

H01L21/288 , H01L21/28 , H01L21/304 , H01L21/3205

FI (5件)：

H01L21/288 M , H01L21/28 A , H01L21/304 641 , H01L21/88 B , H01L21/88 R

Fターム (40件)：

4M104BB04 , 4M104BB17 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD23 , 4M104DD51 , 4M104DD64 , 4M104DD75 , 4M104FF13 , 4M104HH09 , 4M104HH13 , 4M104HH14 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP26 , 5F033QQ08 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033XX02 , 5F033XX04 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F033XX14 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (9件)

研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-036020 出願人：日本電気株式会社
特開平2-209729
粒子をコーティングするための方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-609177 出願人：サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・シャンティフィク

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Deposition of Conformal Copper and Nickel Films from Supercritical Carbon Dioxide

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