特許
J-GLOBAL ID：200903058855503933
薄膜形成方法及びCVD装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-366924
公開番号（公開出願番号）：特開2004-197159
出願日： 2002年12月18日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】酸化物の薄膜を、真空を用いることなく、且つ従来よりも低温で被処理基板上に形成することができる方法及びそのためのCVD装置を提供する。【解決手段】本発明のCVD装置は、雰囲気調整が可能な反応室10、その中に配置され熱分解反応の原料が収容される原料気化槽7、処理対象の基板6を原料気化槽7の上方にこれに近接させて保持するサセプタ2、基板6の温度を制御するヒータ3などから構成される。処理対象の基板6を加熱し、基板6からの放射熱により前記原料を加熱し気化させて、基板6上で熱分解反応を生じさせ、これによって、基板6上に熱分解反応による生成物からなる薄膜を堆積させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
熱分解反応の原料を原料気化槽の中に収容し、
この原料気化槽の上方に、原料気化槽に近接させて被処理基板を保持し、
前記被処理基板を加熱し、前記被処理基板からの放射熱により前記原料を加熱し気化させて、前記被処理基板上で熱分解反応を生じさせ、
これによって、熱分解反応による生成物からなる薄膜を前記被処理基板上に堆積させることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (22件)：
4G075AA30
, 4G075BA05
, 4G075BC04
, 4G075BD14
, 4G075CA02
, 4G075CA57
, 4G075CA66
, 4G075EB01
, 4K030AA11
, 4K030BA42
, 4K030BA47
, 4K030CA07
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 4K030GA02
, 4K030JA03
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030KA22
, 4K030KA23
, 4K030LA15
, 4K030LA18
