特許

J-GLOBAL ID：200903058962150296

炭化珪素半導体素子およびその製造方法

発明者： 中山 浩二 ,  菅原 良孝 ,  浅野 勝則 ,  土田 秀一 ,  鎌田 功穂 ,  三柳 俊之 ,  中村 智宣
出願人/特許権者： 関西電力株式会社 ,  財団法人電力中央研究所
代理人 (1件)： 東島 隆治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-405259
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167035
出願日： 2003年12月03日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】 炭化珪素半導体を用いたバイポーラ半導体素子の経時変化による順方向電圧の増大を防止する。【解決手段】 炭化珪素半導体の結晶の(000-1)カーボン面に対するオフ角θが8度の面を結晶の成長面とし、この成長面にバッファ層、ドリフト層及び他のp型及びn型の半導体層を、時間h当たりの膜厚の増加速度が従来の3倍以上である10μm/hの成膜速度で成膜する。成膜速度を速くするために原料ガスのシラン、プロパン及びドーパントガスの流量を大幅に増やす。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭素(カーボン)と珪素の化合物である炭化珪素を基材とする第1の導電型の炭化珪素半導体の結晶の(000-1)カーボン面に対して所定のオフ角を有する面を形成した基板、及び 前記基板の前記所定のオフ角を有する面を結晶の成長面として、前記成長面に第1又は第2の導電型の炭化珪素の半導体により、所定の形成速度で形成した少なくとも1つのドリフト層、 を有するバイポーラ半導体素子。

IPC (6件)：

H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78

FI (6件)：

H01L29/91 F ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/91 A ,  H01L29/72 Z

Fターム (13件)：

5F003AZ01 ,  5F003BA92 ,  5F003BA93 ,  5F003BB01 ,  5F003BB08 ,  5F003BC01 ,  5F003BE01 ,  5F003BM01 ,  5F003BP12 ,  5F003BP23 ,  5F003BP31 ,  5F003BP42 ,  5F003BP46

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 炭化けい素半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-160338   出願人：富士電機株式会社
• 化合物半導体ウェーハの製造方法及び化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-118443   出願人：住友化学工業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-047545   出願人：株式会社日立製作所
• ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-126123   出願人：日本電気株式会社