特許
J-GLOBAL ID：200903058995604560

半導体メモリ装置

発明者：
宋 鎬 永

宋 鎬 永 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-178042
公開番号（公開出願番号）：特開2002-015566
出願日： 2001年06月13日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 選択されたメモリセルアレイブロックの位置に関係なく昇圧電圧のレベルを一定に保てるので、昇圧電圧の過度な上昇による素子の寿命短縮や特性の低下を防止しうる半導体メモリ装置を提供すること。【解決手段】 電源電圧より高い昇圧電圧を使用して動作する所定の回路を共有する複数個のメモリセルアレイブロックを含むセルアレイと、追加負荷を含む昇圧電圧レベル安定化回路とを具備し、前記追加負荷は前記セルアレイのエッジにあるメモリセルアレイブロックが選択される時、前記昇圧電圧を充電するために前記昇圧電圧に連結される。
請求項（抜粋）：
電源電圧より高い昇圧電圧を使用して動作する所定の回路を共有する複数個のメモリセルアレイブロックを含むセルアレイと、追加負荷を含む昇圧電圧レベル安定化回路とを具備し、前記追加負荷は前記セルアレイのエッジにあるメモリセルアレイブロックが選択される時、前記昇圧電圧を充電するために前記昇圧電圧に連結されることを特徴とする半導体メモリ装置。
Fターム (9件)：
5M024AA96 ,  5M024BB29 ,  5M024FF03 ,  5M024FF20 ,  5M024HH11 ,  5M024PP01 ,  5M024PP03 ,  5M024PP05 ,  5M024PP07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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