特許
J-GLOBAL ID：200903059006787134

半導体結晶成長方法

発明者：
横井 勝之

横井 勝之 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-297743
公開番号（公開出願番号）：特開平10-126009
出願日： 1996年10月21日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 立方晶GaN系半導体結晶成長方法において、格子不整を小さくして結晶の完全性を向上させる。【解決手段】 一方の主面が(001)結晶面を呈するW(タングステン)の単結晶基板10を準備した後、前記一方の主面に清浄化処理及び窒化処理を順次に施し、この後前記一方の主面にMBE法、MOCVD法等により立方晶GaNをヘテロエピタキシャル成長させる。立方晶GaNの単位格子は、Wの単位格子に対して平面的に45°の角度をなして成長するので、体心立方のWの格子定数が3.16Åであり且つ立方晶GaNの格子定数が4.52Åであっても、格子不整は約1%となる。
請求項（抜粋）：
一方の主面が(001)結晶面を呈するタングステンの単結晶基板を準備する工程と、前記一方の主面に立方晶窒化ガリウム系半導体層をヘテロエピタキシャル成長させる工程とを含む半導体結晶成長方法。
IPC (4件)：
H01S 3/18 ,  C30B 29/38 ,  C30B 29/68 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
H01S 3/18 ,  C30B 29/38 D ,  C30B 29/68 ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (4件)
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