半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-303168
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148570
出願日： 1995年11月21日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【解決手段】主として集積回路に用いられるMOSFETの製造方法として、LDDイオン打ち込み工程直後、サイドウォール作成のための高温酸化膜形成時等に生じる過渡増速拡散(TED)を抑えるため、50°C/分以上の昇温速度で800°C以上の温度で、10分以内のランプアニールを施す。【効果】LDD領域の過渡増速拡散をランプアニールにより低減することにより、Pチャネル、NチャネルのLDD領域をともに十分浅く作製することができる。そのため、短チャネル効果の発生が抑えられる。また、従来プロセスに対して変更点が少ないため、量産工程への適用が容易である。

請求項（抜粋）：

半導体からなる基板表面に形成された電界効果トランジスタを少なくとも一つ以上有する半導体装置の製造方法において、前記電界効果トランジスタのゲート領域をマスクとして硼素もしくは燐を含む粒子をイオン注入する工程を行なった後、50°C/分以上の昇温速度で800°C以上の保持温度で、10分以内の熱処理を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/26 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 301 L , H01L 21/26 L , H01L 21/265 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-215325 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-307729 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
特開平4-096335

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