特許
J-GLOBAL ID：200903059138983862
基板割断方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阪本 善朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-052649
公開番号（公開出願番号）：特開2005-243977
出願日： 2004年02月27日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】基板内部に長尺の内部亀裂を発生させ、安全性と信頼性の高い割断を行う。【解決手段】シリコン基板10の内部に、波長が経時的に変化するチャープ光パルスであるレーザ光Lを集光させて内部亀裂12を発生させる。チャープ光パルスは、集光点が深度方向にA1 からA3 まで移動するため、その移動量(Δa)だけ内部亀裂12の亀裂長さ(b)が長くなり、割断の信頼性が向上する。また、基板表面11にはケガキによる線状加工部である表面加工痕11aが設けられる。外力によってシリコン基板10を素子チップに分割する割断工程で、表面加工痕11aに応力が集中して表面加工痕11aと内部亀裂12が連結することで、基板表面11は確実に割断予定線に沿って分断されるため、精密な割断を行うことができる。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
レーザ加工によって基板を複数の素子チップに分割するための基板割断方法であって、
自己位相変調効果によって波長が経時的に変化するチャープ光パルスを基板内部に集光させ、経時的に深度が変化する集光点を起点とする内部亀裂を発生させる工程と、
内部亀裂を発生するチャープ光パルスを基板の割断予定線に沿って相対移動させることで基板内部に亀裂群を形成する工程と、
基板に外力を与えることによって亀裂群を深度方向に進展させる工程と、を有することを特徴とする基板割断方法。
IPC (2件)：
FI (5件)：
H01L21/78 B
, B23K26/00 D
, B23K26/00 320E
, H01L21/78 T
, H01L21/78 Q
4E068AA02
, 4E068AA03
, 4E068AD01
, 4E068AE01
, 4E068CA03
, 4E068CA04
, 4E068CA11
, 4E068DA10
, 4E068DB12
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (3件)
引用文献：
前のページに戻る
