特許
J-GLOBAL ID：200903059182868108

酸化物半導体薄膜トランジスタ

発明者：
島田 幹夫

島田 幹夫 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-313578
公開番号（公開出願番号）：特開2009-141001
出願日： 2007年12月04日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：
【課題】 ボトムゲート型TFTにおいて、ゲート電極に電圧を印加するとゲート電極の上方にある半導体層にチャネルが形成される。しかし、ソース・ドレイン電極直下の半導体層の大部分にはチャネルが形成されず、寄生抵抗となるため、電流駆動能力が低下するという課題がある。【解決手段】 基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、アモルファス酸化物からなる半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護層と、を有するトランジスタであって、 前記半導体層は、 前記ソース・ドレイン電極が形成された領域に対応する第1の領域と、 前記ソース・ドレイン電極が形成された領域に対応しない第2の領域と、を含み、 少なくとも前記第1の領域が前記第2の領域のアモルファス酸化物とは組成の異なる結晶成分を含むことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、ゲート絶縁層と、アモルファス酸化物からなる半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護層と、を有するトランジスタであって、 前記半導体層は、 前記ソース・ドレイン電極が形成された領域に対応する第1の領域と、 前記ソース・ドレイン電極が形成された領域に対応しない第2の領域と、を含み、 少なくとも前記第1の領域が前記第2の領域のアモルファス酸化物とは組成の異なる結晶成分を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618F
Fターム (38件)：
5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK12 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HM07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN72
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM