アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：西山恵三 , 内尾裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-305950
公開番号（公開出願番号）：特開2007-115902
出願日： 2005年10月20日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：

【課題】透明アモルファス酸化物を活性層に用い、且つ遮光手段を有する電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを備えた表示装置を提供する。【解決手段】基板上にソース電極と、ドレイン電極1040と、ゲート電極1040と、ゲート絶縁膜1050と、活性層1020とを有し、該活性層は、400nmから800nmの波長域の光に対して、70%以上の透過率を有する酸化物を含む。そして、該活性層に対する遮光手段としての遮光膜1090を、例えば基板下面に設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、及び活性層とを有する電界効果型トランジスタであって、該活性層は、400nmから800nmの波長域の光に対して、70%以上の透過率を有する酸化物を含み構成され、且つ該基板と該活性層との間、若しくは該基板の該活性層と反対側の面に遮光手段が設けられているか、または該基板が遮光性を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 619B

Fターム (22件)：

5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110NN46 , 5F110NN47 , 5F110NN48 , 5F110NN49

引用特許：

出願人引用 (1件)

国際公開第2005/088726号パンフレット

審査官引用 (6件)

アクティブマトリクス型液晶表示素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-325892 出願人：カシオ計算機株式会社
トランジスタアレイ基板の製造方法及びトランジスタアレイ基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-308806 出願人：カシオ計算機株式会社
半導体装置、及びその作製方法、液晶テレビジョン、並びにELテレビジョン
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-057344 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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